射频与微波技术的最新进展(Part 2)
射频半导体技术的飞跃 射频半导体技术的应用向更高频率扩展,半导体行业面临着新的挑战和机遇。 从传统的硅材料到复合半导体的转变,促进了新一代射频设备的诞生。针对2027年起推出的5G高级技术和6G,FR3频谱成为了射频半导体技术竞争的新热点,而亚太赫兹频谱的开发则预计在2030年后开始。 在卫星应用中,氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)技术在功率输出和频率适应性方面展开了激烈的竞争。UMS公司正在开发更先进的GaN-SiC技术,并推进高功率GaAs器件的研发。 在Q/W波段的卫星通信和地面应用的D波段中,开发了60nm的GaN-Si技术和40nm的GaAs LNA,为通信提供了高效解决方案 未来射频设备的发展将越来越依赖于异构集成技术,如系统级封装(SiP)、2.5D和3D集成等,这些技术旨在为射频设备的性能和成本找到最佳平衡点。 不同的应用场景将根……